美国《科学》杂志21日刊登了北京大学信息科学技术学院彭练矛和张志勇课题组在碳纳米管电
子学领域取得的世界级突破：首次制备出5纳米栅长的高性能碳纳米晶体管，并证明其性能超越同等
尺寸的硅基CMOS(互补金属—氧化物—半导体)场效应晶体管，将晶体管性能推至理论极限。
据科技日报24日消息，因主流硅基CMOS技术面临尺寸缩减的限制，20多年来，科学界和产业界
一直在探索各种新材料和新原理的晶体管技术，但没有机构实现10纳米的新型CMOS器件。彭练矛教
授表示，他们课题组经过10多年的研究，开发出无掺杂制备方法，研制的10纳米碳纳米管顶栅CMOS
场效应晶体管，其p型和n型器件在更低工作电压(0.4V)下，性能均超过了目前最好的硅基CMOS。现
在，他们又克服了尺寸缩小的工艺限制，成功开发出5纳米栅长碳纳米晶体管。
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